webで標記のFETを扱ったのは、2001年だったからずいぶん前のことになる。その時でさえ、既に写真の3SK121は廃品種だった。(笑)
なお、写真のSGM2006M(記号:F-/SONY)と3SK121(記号:UG/東芝)、さらには下記3SK129(松下/パナソニック)は、ほぼ同等のデバイスである。
或は3SK113(日立/ルネッサス・・形状及び接続は写真の3SK121と同じ)や3SK240(記号:UN/東芝・・形状及び接続は写真のSGM2006Mと同じ)も同類のGaAs-MES-FETであるが、何れも生産中止になっている。
負荷インピーダンスRL=500Ω位にとった動作では、ソース抵抗Rsの加減でドレイン電流Id=約10mAになるよう調整してやれば最適動作点となる。 その状態で各デバイスによる性能差は殆ど感じないはず。なお、動作点の調整もせずに比較しても無意味である。正しく使えば何れも優れてLow Noiseである。もちろんゲインも十分得られる。
高周波増幅回路も、以前はディスクリートで組んでいたが、今はむしろ特殊なくらいで、MMICと称するLNA(Low Noise Amp.)が主流のようだ。 昔のMMICはノイズの点で芳しくなかったが、今では十分Low-Noiseだから下手にバラ部品で作るよりも有利であろう。 しかしアマチュア無線には、そうしたICは向かないことが多いので、今もこうしたデバイスの出番がある。
【3SK129】
ガリウムだとか砒素と言うと有害物質ではないかと言うことで拒否反応を示すかもしれない。 しかし、まさかFETを食べる訳ではないし、パッケージに入っていれば、たとえ舐めても危険はない。 ただ、数mgの微量とはいえ廃棄する時には一般ゴミと分けるくらいの気遣いはあった方が良いのかもしれない。
ガリウムだとか砒素と言うと有害物質ではないかと言うことで拒否反応を示すかもしれない。 しかし、まさかFETを食べる訳ではないし、パッケージに入っていれば、たとえ舐めても危険はない。 ただ、数mgの微量とはいえ廃棄する時には一般ゴミと分けるくらいの気遣いはあった方が良いのかもしれない。
写真は3SK129で今年(2008年)の6月頃JE6LVE高橋さんに頂いたものだ。(VY-TNX!) 6月18日のBlogでも紹介した。これは上の写真の3SK121と同等に使えるもので、パナソニック製である。見ての通りピン配置も同じである。
既に廃品種の筈だがオークションで良く見かけるようだ。不良在庫化していたものが廃棄処分されて流出しているのかもしれない。 このように平面的なパッケージなのだが「表面実装用」ではない。 昨今は何でも面実装で製造するからそれに向かない部品は使い道がなくなったのだろう。性能は悪くないし、手ハンダするにはむしろ使い易いから積極的に活用したい。
【参考;GaAs-FETを使ったクリコンのDBM部】
以前,GaAs-MES-FETを扱ったwebページで紹介していた50MHz帯のクリスタル・コンバータDBM部である。ミキサのSBDもガラスパッケージ品は無くなるばかりなので、もうこうした感じでDBMを作ることもなくなるのだろう。
以前,GaAs-MES-FETを扱ったwebページで紹介していた50MHz帯のクリスタル・コンバータDBM部である。ミキサのSBDもガラスパッケージ品は無くなるばかりなので、もうこうした感じでDBMを作ることもなくなるのだろう。
部品を集めてRFトランスを巻くのも良いが、1個の完成品モジュールになったDBMは手軽だし、安価になっているから経済性も悪くない。 写真のDiは1SS86(日立/ルネッサス:既に廃品種)で、トランスはおなじみのFB-801-#43だ。
昨今の部品事情を見ると自作の余地がだんだん奪われるようで寂しい気もする。しかし、ディスクリート部品が完全に消えるとは考え難い。ICアプリに留まると廃品種になれば完全にお手上げだから、個別部品でも回路設計ができるようにしておきたいものだ。
<追記:2009年9月>
SONYのSGM2006Mは永らく秋葉原・秋月電子通商で10個200円と言う廉価で入手できたが、ついに底をついたらしい。面実装用パッケージで手付けには使い難かったが安価なRFデバイスとしては良い性能だっただけに惜しまれる。これからは少し高価で扱い難いがHEMTなども積極的に活用すべきようだ。拙宅の在庫も徐々にそちらにシフトしている。 de JA9TTT/1
(おわり)
(おわり)

